| Samsung a dezvoltat primele memorii DDR4 folosind tehnologii de fabricatie pe 30nm | |
|
|
Pe langa ratele de transfer de pana la 2.133 Gbps la 1.2V, (comparativ cu modulele DDR3 la 1.35V si 1.5V fabricate pe 30nm), in cazul folosirii lor in notebook-uri se poate obtine o reducere a consumului de pana la 40% fata de clasicele DDR3 la 1.5V.
Aceasta reducere a consumului se datoreaza tehnologiei Pseudo Open Drain (POD) ce permite noilor module DDR4 sa consume doar jumatate din curentul electric necesar modelelor DDR3 atunci cand sunt in derulare procese de citire si/sau scriere. Arhitectura dezvoltata de Samsung permite noilor memorii DDR4 sa poata opera la frecvente intre 1.6 si 3.2Gbps, mult superioare comparativ cu actualele DDR3 la 1.6Gbps sau DDR2 la 800Mbps. Conform companiei, noile modele DDR4 vor obtine standardizarea JDEC in a doua jumatate a acestui an, asa ca sunt motive suficiente sa credem ca adoptia acestora ar putea avea loc destul de repede. Computer-Arena.ro |
Samsung Electronics a anuntat astazi finalizarea dezvoltarii primelor module de memorie DDR4, la fabricarea carora s-au folosit procese de fabricatie si tehnologii pe 30nm (nanometri).
Dupa indelungate asteptari, numeroase zvonuri si informatii contradictorii, cuplul Sony Ericsson a prezentat ieri in cadrul ev...
Cunoscutul producator de echipamente de stocare I-O Data a anuntat un nou model de harddisk extern din seria HDPC-U cu o cap...
Anul 2011 va fi unul important pentru Apple, compania urmand sa lanseze in acest an noi versiuni pentru iPhone si iPad
Gigabyte a anuntat lansarea unei noi placi grafice din seria GeForce GTX 570, model ce foloseste pentru racire cooler-ul proprietar WindForce...
Folosind un design propriu, Asus a reusit sa creeze o placa video impresionanta si cel putin la fel de puternica ca Radeon HD 6970 prezentata de curand i...
